СИРИУС /Федеральная территория/, 23 сентября. /ТАСС/. Разработки российских ученых по ряду направлений в области микроэлектроники занимают лидерские позиции в мире. Об этом в кулуарах проходящего на федеральной территории Сириус форума "Микроэлектроника" заявил журналистам президент Российской академии наук (РАН) Геннадий Красников.
"Получаются результаты мирового уровня - в области особо чистых материалов, в области электронного машиностроения, в области технологий в том числе. Например, здесь демонстрируется создание новых видов памяти, - сказал Красников. - По фоторезистам мы опережаем Китай. В области электронного машиностроения наши атомарно-слоевые осаждения на мировом уровне, и это доказано практикой. Здесь еще квантовые технологии, которые представляет ФИАН (Физический институт имени П. Н. Лебедева РАН - прим. ТАСС), это ионная платформа для квантовых вычислителей, <…> которая тоже соответствует мировым уровням".
Президент РАН подчеркнул, что научная база в области микроэлектроники в РФ всегда была на высоком уровне, однако внедрение разработок тормозилось низкими инвестициями в отрасль. "Многие наши ученые в связи с этим уезжали за рубеж, потому что там, на их взгляд, было больше возможностей по внедрению научных результатов. Сейчас ситуация меняется", - добавил он.
Форум "Микроэлектроника" проходит с 23 по 28 сентября. Это ключевое информационное событие года в мире электронных технологий. Форум проводится ежегодно с 2015 года и зарекомендовал себя как основная российская коммуникационная площадка по широкому кругу вопросов стратегии научно-технологического развития микро- и радиоэлектронной отрасли, создания и применения электронной компонентной базы и программно-аппаратных комплексов, реализации стратегических научно-технических, промышленных и инновационных проектов, нормативно-правовой базы и стандартизации, создания цифровой экономики и обеспечения безопасности и технологического суверенитета страны. ТАСС - стратегический информационный партнер форума.