ВАШИНГТОН, 21 октября. /Корр. ИТАР-ТАСС Андрей Шитов/. В США создан пригодный для промышленного производства метод изготовления графена - причем как однослойного, так и двуслойного. По сообщению Национального научного фонда США, частично финансировавшего эту работу, успех достигнут в Калифорнийском университете в Санта-Барбаре группой специалистов под руководством Каустава Банерджи.
Графен - это двумерная кристаллическая решетка углерода толщиной в один атом. Данный наноматериал считается чрезвычайно перспективным для развития современной электроники. За его открытие двум ученым российского происхождения - Андрею Гейму и Константину Новоселову - была в прошлом году присуждена Нобелевская премия по физике.
Для своих экспериментов Гейм и Новоселов отслаивали графен от графита с помощью клейкой ленты. В промышленности, естественно, необходим более масштабный метод контролируемого получения высококачественного материала. Теперь американцы утверждают, что он найден.
Отчет о работе будет опубликован в ноябрьском номере научного вестника "Карбон" /"Углерод"/.