Подозреваемая в хищении дочь арестованного продюсера Насибулина скрылась за границей

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 18 июля. /ТАСС/. Дочь арестованного в четверг в Петербурге по делу о мошенничестве продюсера Рушана Насибулина Евгения также подозревается в хищениях средств из федерального бюджета. Как сообщил на заседании в Куйбышевском районном суде города следователь регионального управления МВД, женщина успела покинуть территорию России и скрыться за рубежом в день задержания своего отца.

"Евгения Насибулина и еще один фигурант дела скрылись 16 и 17 июля за пределами РФ", - сказал следователь.

Ранее сообщалось, что Куйбышевский районный суд Петербурга, удовлетворив ходатайство следствия, до 27 августа отправил в СИЗО Рушана Насибулина. Защита, как и он сам, выступали против. Следствие заявило, что, находясь на свободе, фигурант может оказать давление на свидетелей или покинуть страну, как сделала его дочь. Адвокаты заявили, что готовы приобщить к материалам оригинал заграничного паспорта их подзащитного.

Насибулин был задержан после обысков, проводимых в Петербурге и Москве, в рамках расследования уголовного дела о хищении 20 млн рублей из бюджета РФ в 2016 году по договору с Минпромторгом на выделение субсидий для компенсации части затрат на исследования, касающихся технологий по ламинированию текстильных мембранных материалов для одежды. В 2016 году Насибулин был гендиректором компании "Инмед", с которой Минпромторг и заключил договор. Он также является продюсером фильмов "Трудно быть богом" Алексея Германа и "Довлатов" Германа-младшего. Вместе с ним правоохранительные органы задержали предпринимателя Александра Внучкина.

По данным базы СПАРК, фирма "Инмед" зарегистрирована в Санкт-Петербурге, ее совладельцами являются Александр Внучкин, Кузнецова (Насибулина), Евгения Рушановна, а также долю в уставном капитале в 49,9% имеет компания "Издательство международные отношения". Фирма занимается научными исследованиями и разработками в области естественных и технических наук, владеет 15 товарными знаками, в том числе связанными с производством нановолокон.