Сибирские ученые разрабатывают флэш-память, которая будет в тысячи раз быстрее современной

НОВОСИБИРСК, 30 августа. /ТАСС/. Ученые новосибирского Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН работают над созданием принципиально нового поколения флэш-памяти - способа хранения цифровой информации. Так называемая резистивная флэш-память будет работать в тысячу раз быстрее и в миллион раз надежнее, что увеличит долговечность флэш-накопителей и сократит частоту зарядки мобильных устройств, сообщил ТАСС главный научный сотрудник ИФП, доктор физико-математических наук Владимир Гриценко.

"Обычная флэш-память выдерживает порядка 10 тыс. циклов "запись-стирание", потом она деградирует, а резистивная память, которую мы разрабатываем, позволит делать в миллион раз больше циклов: микросхемы будут более надежными", - сказал он.

Кроме того, по словам ученого, такая память потребляет меньше энергии, поэтому мобильный телефон или планшет, в котором она установлена, будет дольше работать в автономном режиме. С другой стороны, можно, уменьшив объем аккумулятора, сократить габариты и вес устройства.

Другим преимуществом резистивной памяти является возможность наращивания объема хранимой информации. "Она позволяет сделать микросхему с характерным размером элемента памяти объемом 5 нм, что дает возможность увеличить информационную емкость микросхем до 1 терабита. Это позволит увеличить объем памяти в несколько раз", - пояснил ученый.

Он напомнил, что флэш-память - это не только привычные нам USB-накопители. Она широко используется в мобильных устройствах (телефонах, планшетах, цифровых фотоаппаратах, MP3-плеерах, электронных книгах, ГЛОНАСС и GPS навигаторах), офисной технике (компьютерах, сканерах, принтерах), банковских картах, пропусках, биометрических паспортах. После откатки технологии новая флэш-память будет не дороже существующей сейчас, добавил собеседник агентства.

Новая технология может стать прорывом

По словам Гриценко, исследования в области резистивной памяти ведут во всем мире, в том числе такие ведущие полупроводниковые компании, как IBM, Intel, Panasonic, Hitachi, Samsung. Это та область, в которой возможен существенный технологический прорыв. "Есть разные варианты решения. Очень много материалов обладают этим эффектом, поэтому исследования ведутся широким фронтом, и в настоящее время непонятно пока, на каком эффекте будет разработана микросхема", - сказал Гриценко.

В разработке новосибирских ученых используются оксид гафния или оксид тантала. Принцип действия основан на изменении сопротивления диэлектрика при протекании тока. "При протекании тока образуется так называемый филамент - проводящая металлическая ниточка, которая может исчезать при окислении и восстанавливаться, при этом сопротивление меняется в 100-1000 раз. В этом состоит принцип действия резистивной памяти", - объяснил ученый.

Финансирование разработок новосибирских ученых ведет подмосковный завод микроэлектроники "Микрон", который в будущем может взять на себя производство резистивной флэш- памяти нового поколения. Гриценко отметил, что из-за особенности рынка памяти внедрение новой технологии произойдет не раньше, чем окупит себя существующая технология на нитриде кремния, то есть после 2020 года. Ученый выразил надежду, что к этому времени в России появятся свои инвесторы и возможность наладить производство у себя в стране.

По его данным, сегодня резистивная флэш-память в России не производится. Затраты на открытие завода по ее производству оцениваются в сумму около 4 млрд долларов. Между тем, объем рынка флэш-памяти в мире составляет порядка 30 млрд долларов в год. Для сравнения Гриценко привел объем продаж зерна в России, который составляет около 13 млрд долларов в год.