Все новости

Новосибирский институт намерен сотрудничать с Нагойским университетом по 15-и направлениям

Сотрудничество предполагает обмен кадрами и совместную научную работу

НОВОСИБИРСК, 21 марта./ТАСС/. Институт физики полупроводников (ИФП) Сибирского отделения РАН представил лауреату Нобелевской премии по физике, профессору Нагойского университета Хироси Амано программу сотрудничества вузов из 15 пунктов. Институт и университет будут обмениваться студентами и вести совместную научную работу, сообщил ТАСС директор ИФП Александр Латышев.

Национальный проект "Наука" предполагает Обеспечение привлекательности работы в Российской Федерации для российских и зарубежных ведущих ученых и молодых перспективных исследователей. В рамках нацпроекта количество российских и зарубежных ведущих ученых, работающих в стране должно увеличиться в 1,3 раза к концу 2024 года.

"В 2015 году был подписан меморандум о сотрудничестве между ИФП СО РАН и Нагойским университетом. В этот раз мы обсуждали детали его выполнения. Мы представили программу из 15 направлений по которой будем работать. Он [Хироси Амано] поехал ее среди руководства университета обсуждать, присылать и согласовывать", - сказал Латышев.

По его словам, сотрудничество предполагает обмен кадрами и совместную научную работу. "Мы договорились, что пока начнем делать эту работу отдельно, но под общую тему, чтобы потом появились совместные проекты", - отметил Латышев. Следующим этапом будет визит делегации Института в Нагойский университет, обмен студентами и аспирантами и подача заявок в фонды на финансирование совместных исследований.

5 июня 2015 года Хироси Амано впервые посетил ИФП. После встречи с директором Института Латышевым профессор Амано выступил перед сотрудниками Института с кратким сообщением о текущих исследованиях нитридных материалов в возглавляемой им лаборатории, а затем ответил на многочисленные вопросы собравшихся. В результате был подписан меморандум о сотрудничестве.

Амано получил Нобелевскую премию по физике в 2014 году за работу 1989 года изобретение синих диодов, которые сделали возможным создание ярких и энергосберегающих источников белого света. Именно такие сверхъяркие синие диоды на основе нитрида галлия используются в современных ЖК-панелях, экранах смартфонов, вспышках, энергоэффективных лампочках.