Родился 12 июля 1951 г. в Курске.
Образование, научные звания
В 1974 г. с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники (МИЭТ; ныне Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"; Зеленоград, Москва). Затем продолжил обучение в аспирантуре МИЭТ.
Доктор технических наук. В 1982 г. защитил кандидатскую диссертацию по теме "Исследование ионных диффузионно-дрейфовых процессов в диэлектрических слоях МДП-структур и их влияние на характеристики полевых приборов", в 1995 г. - докторскую диссертацию по теме "Кремниевые микроэлектронные датчики на основе КМОП конструктивно-технологического базиса".
В 1997 г. ему было присвоено звание профессора.
В 2003 г. Юрий Чаплыгин был избран членом-корреспондентом Российской академии наук (РАН), в 2016 г. - академиком РАН.
Научная карьера
С 1974 по 1983 г. - аспирант, инженер, младший научный сотрудник, ассистент кафедры общей физики МИЭТ.
В 1984-1987 гг. занимал должность заместителя проректора Московского института электронной техники по научной работе. С 1987 по 1988 г. был секретарем парткома вуза. В 1988-1998 гг. - проректор МИЭТ по научной работе.
С 1998 по 2016 г. занимал пост ректора МИЭТ (переизбирался в 2003, 2008 и 2013 гг.). Под его руководством была проведена реорганизация кафедр и факультетов вуза, началась подготовка студентов по таким направлениям, как нанотехнологии, телекоммуникации, микросистемная техника, иностранные языки, дизайн. В 2010 г. МИЭТ получил категорию "национальный исследовательский университет". В 2016 г. вуз впервые вошел в рейтинг университетов мира британского журнала Times Higher Education ("Таймс хайер эдьюкейшн").
2 июня 2016 г. Юрий Чаплыгин был избран президентом Национального исследовательского университета "Московский институт электронной техники" (эта должность была введена в МИЭТ в 2015 г.). 22 июня 2021 г. приказом Министерства науки и высшего образования РФ он был вновь утвержден президентом МИЭТ сроком на пять лет.
Одновременно в МИЭТ занимает должности: заведующий кафедрой интегральной электроники и микросистем (с 1999 г.), директор Института проектирования приборов и систем, и. о. директора и научный руководитель Научно-исследовательского института нанотехнологии. Возглавляемая им научная школа МИЭТ является одной из ведущих в России в области нанотехнологий, микроэлектроники и информационно-коммуникационных технологий.
Член Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) РАН, входит в состав секции вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем и элементной базы ОНИТ РАН.
Является заместителем академика-секретаря ОНИТ РАН Геннадия Красникова (с 2017 г.), заместителем руководителя бюро ОНИТ РАН.
Член Высшей аттестационной комиссии при Министерстве науки и высшего образования РФ.
Главный редактор журнала "Известия высших учебных заведений. Электроника" (издание МИЭТ). Входит в состав редколлегий ряда научно-технических журналов.
Юрий Чаплыгин - специалист в области микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники. Ученым решен ряд фундаментальных и прикладных проблем создания интегрированных устройств приема и обработки информации на основе технологии микроэлектроники. На основе полученных Чаплыгиным научных результатов разработан и освоен в производстве ряд интегрированных систем, которые используются в аппаратуре телефонной связи, криптографической и специальной аппаратуре, бортовых системах телекоммуникационных спутников серии "Экспресс" и др.
Автор более 250 научных трудов, пяти монографий, 20 авторских свидетельств и патентов.
Награды, премии
Награжден орденами Дружбы (1996), Почета (2002), Александра Невского (2024).
Лауреат премии президента РФ в области образования за 2003 г. ("за научно-практическую разработку для системы профессионального образования и научно-инновационной инфраструктуры регионов "Университетский учебно-научный производственный комплекс как основа развития образования, экономики и социальной сферы региона").
Лауреат премий правительства РФ в области науки и техники: 2001 г. ("за создание элементной базы для разработки радиоэлектронной аппаратуры нового поколения") и 2007 г. ("за разработку и внедрение в серийное производство кремниевых интегральных микроэлектронных датчиков").
Лауреат премии правительства РФ 2010 г. в области образования ("за создание инновационной разработки "Программно-методический комплекс для создания электронных образовательных сред, управления учебным процессом и индивидуальной работой обучающихся").